聚噻吩

聚噻吩（Polythiophene）是一种重要的导电聚合物，具有独特的物理化学性质。聚噻吩包括多种不同结构和性质的化合物，常见的聚噻吩物质种类包括但不限于：
聚3-噻吩（Poly(3-thiophene)）
聚2,2'-联噻吩（Poly(2,2'-bithiophene)）
聚EDOT（Poly(3,4-ethylenedioxythiophene)，简称PEDOT）
聚EDOT-co-Th（Poly(3,4-ethylenedioxythiophene-co-thiophene)）
聚2,5-二取代噻吩（Poly(2,5-dialkoxythiophene)）
聚3,4-二取代噻吩（Poly(3,4-dialkoxythiophene)）

金属催化剂制备无取代聚噻吩
聚噻吩作为一种有机半导体材料，其性能和应用受到其分散状态的影响。聚噻吩的分散状态直接影响其光学性能、导电性能和稳定性。微射流均质机是一种高效的分散技术，可用于将聚噻吩等有机半导体材料分散成均匀的溶液或分散体。微射流均质机主要是利用高压微射流以及剧烈的剪切力将聚噻吩均匀分散于溶剂中。通过微射流均质机分散，可以获得高度均匀的聚噻吩溶液，从而提高器件性能和稳定性。良好的分散性可以使聚噻吩更易于溶解和加工，有利于制备薄膜、涂层等器件结构。 聚噻吩在掺杂后表现出导电性，掺杂后导电率为10-16-102(S/cm)，聚噻吩是不溶不熔的，但聚噻吩在掺杂前是较稳定的，可通过氧化剂处理来提高其导电率，通常每五个环中就有一个被氧化。聚噻吩的导电形式是盐，其电导率范围广泛，从导体到半导体甚至绝缘体都有涵盖，可达10^-16至10^2 S/cm。在氧化后，聚噻吩的导电性是由电子沿聚合物主链的离域作用产生的。共轭聚合物中的掺杂水平一般较高，在20～40%左右，远比半导体中的掺杂（＜1%）要高。聚噻吩类聚合物的电导率一般低于1000 S/cm。McCullough 等曾报道制得电导率达1000 S/cm的碘掺杂的聚(3-十二烷基噻吩)。

聚噻吩（Polythiophene, PTs）具有结构简单、易于合成的优点，且结晶性好，空穴迁移率高，是有机太阳电池（OSCs）中具有前景的给体材料。 用于导电材料等。 聚噻吩的合成可用化学法和电化学制成；将噻吩单体与电解质过氯酸四乙基铵混合加到硝基苯中，以玻璃板上镀上氧化铟，氧化锡分别作阳极和阴极进行电化学聚合，电流密度为2mA/cm²，噻吩在阳极表面发生聚合，形成墨绿色的聚噻吩薄膜(含有过氯酸盐离子)，电解温度为-20-+30℃，通电20min，可生成约10μm厚的薄膜，很易从电极上剥下来，这种薄膜当在100℃空气中加热时不分解，本身是柔性的，制造工艺较简单，可得到导电率为13(Ω.cm)^-1。